Введение

Глава 1. Основы физики полупроводников

• 1.1. Зонная структура полупроводников (89мин.)
• 1.2. Электронно-дырочный переход (71мин.)
• 1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (18мин.)
• 1.4. Вольт-амперная характеристика реального p-n-перехода (54мин.)
• 1.5. Контакты металла с полупроводником (36мин.)
• 1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости (36мин.)
• Тест:  Основы физики полупроводников (10мин.)

Глава 2. Диоды

• 2.1. Классификация диодов (36мин.)
• 2.2. Эквивалентная электрическая схема p-n-перехода (36мин.)
• 2.3. Выпрямительные диоды (36мин.)
• 2.4. Высокочастотные диоды (18мин.)
• 2.5. Импульсные диоды (36мин.)
• 2.6. Мезадиоды (18мин.)
• 2.7. Стабилитроны (71мин.)
• 2.8. Параметрический стабилизатор напряжения (54мин.)
• 2.9. Варикап (36мин.)
• 2.10. Диод Шоттки (18мин.)
• 2.11. Туннельный диод (36мин.)
• 2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна (143мин.)
• Тест:  Диоды (54мин.)

Глава 3. Биполярные транзисторы

• 3.1. Классификация (18мин.)
• 3.2. Общие сведения (36мин.)
• 3.3. Принцип работы транзистора (54мин.)
• 3.4. Три схемы включения транзистора (18мин.)
• 3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой (36мин.)
• 3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ (18мин.)
• 3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ (71мин.)
• 3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник (89мин.)
• 3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора (36мин.)
• 3.10. Разновидности биполярных транзисторов (125мин.)
• 3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры (18мин.)
• 3.12. Работа транзистора в ключевом режиме (89мин.)
• 3.13. Структура и принцип действия тиристоров (107мин.)
• Тест:  Биполярные транзисторы (48мин.)

Глава 4. Полевые транзисторы и ПЗС

• 4.1. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом (107мин.)
• 4.2. МДП-транзисторы (36мин.)
• 4.3. Основные параметры МДП-транзистора (18мин.)
• 4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью (143мин.)
• • Области применения и конструктивные варианты (36мин.)
• 4.5. Способы формирования видеосигнала (36мин.)
• 4.6. Приборы с зарядовой инжекцией (36мин.)
• Тест:  Полевые транзисторы и ПЗС (22мин.)

Глава 5. Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы

• 5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы (107мин.)
• • Гетероструктурные БТ (36мин.)
• 5.2. Полевые СВЧ-транзисторы (54мин.)
• 5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы (89мин.)
• • Баллистические и аналоговые транзисторы (89мин.)
• 5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники (428мин.)
• • Полевые GaAs-транзисторы с гетеропереходом (71мин.)
  • SiGe-транзисторы (36мин.)
  • Мощные GaN и SiC транзисторы (196мин.)
  • Антимониды и арсенид индия (54мин.)
  • Алмаз как материал для СВЧ-приборов (36мин.)
  • Транзистор на нанотрубках (18мин.)
  • Достижения по быстродействию и планы по "high-K" (18мин.)
• 5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах (143мин.)
• Тест:  Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы (10мин.)

Глава 6. Преобразовательные приборы

• 6.1. Полупроводниковые источники излучения (18мин.)
• 6.2. Светоизлучающие диоды (89мин.)
• 6.3. Лазеры (89мин.)
• 6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели (36мин.)
• 6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы (196мин.)
• • Фоторезистор (18мин.)
  • Фотодиоды (18мин.)
  • Лавинные и p-i-n-фотодиоды (54мин.)
  • Фототранзисторы (36мин.)
  • Оптроны (54мин.)
• 6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом (18мин.)
• 6.7. Позисторы (36мин.)
• 6.8. Варисторы (36мин.)
• 6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы (89мин.)
• 6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы (54мин.)
• Тест:  Преобразовательные приборы (10мин.)

Глава 7. Энергонезависимая полупроводниковая память

• Тест:  Энергонезависимая полупроводниковая память (10мин.)

Список литературы

Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току

• Общий подход к задачам расчета усилителей переменного тока (54мин.)
• Расчет основных параметров усилителя на биполярных транзисторах (36мин.)
• Примеры (286мин.)

Новинки по дисциплине "Электронная техника" и смежным дисциплинам

Завершение курса

• Тест:  Итоговое тестирование (40мин.)