ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ПРОИЗВОДСТВО КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

• 1.1. Электронный кремний (42мин.)
• 1.2. Выращивание монокристаллического кремния по методу Чохральского (347мин.)
• • 1.2.1. Монокристаллический кремний (83мин.)
  • 1.2.2. Направленная кристаллизация (28мин.)
  • 1.2.3. Теория роста кристалла (111мин.)
  • 1.2.4. Установка для выращивания монокристаллического кремния (56мин.)
  • 1.2.5. Примеси и дефекты в монокристаллическом кремнии (28мин.)
  • 1.2.6. Оценка параметров кристаллов (42мин.)
• 1.3. Обработка кремниевых пластин (125мин.)
• • 1.3.1. Механическая обработка (42мин.)
  • 1.3.2. Травление (14мин.)
  • 1.3.3. Полирование (28мин.)
  • 1.3.4. Геттерирование (28мин.)
  • 1.3.5. Термические напряжения (14мин.)
• Тест:  ПРОИЗВОДСТВО КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН (22мин.)

Глава 2. ОКСИДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ

• 2.1. Модель оксидирования кремния (194мин.)
• • 2.1.1. Рост тонкого слоя оксида (42мин.)
  • 2.1.2. Влияние ориентации на скорость оксидирования кремния (14мин.)
  • 2.1.3. Влияние примесей и повреждений поверхности на скорость оксидирования (28мин.)
• 2.2. Методы оксидирования кремния (69мин.)
• • 2.2.1. Подготовка подложек кремния (14мин.)
  • 2.2.2. Оксидирование кремния в сухом и влажном кислороде (14мин.)
  • 2.2.3. Оксидирование кремния при повышенном давлении (28мин.)
  • 2.2.4. Оксидирование кремния в плазменном разряде (14мин.)
• 2.3. Свойства оксидных плёнок (69мин.)
• • 2.3.1. Маскирующие свойства SiO2 (14мин.)
  • 2.3.2. Заряд в SiO2 (42мин.)
  • 2.3.3. Напряжение в SiO2 (14мин.)
• 2.4. Перераспределение легирующих примесей на границе раздела фаз (28мин.)
• 2.5. Оксидирование поликристаллическогокремния (14мин.)
• 2.6. Дефекты, возникающие при оксидировании кремния (28мин.)
• 2.7. Выводы и перспективы развития (14мин.)
• Приложение к Главе 2 (14мин.)
• Тест:  ОКСИДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ (22мин.)

Глава 3. ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ

• 3.1. Модели диффузии (42мин.)
• 3.2. Одномерное уравнение диффузии Фика (111мин.)
• • 3.2.1. Постоянные коэффициенты диффузии (28мин.)
  • 3.2.2. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии (56мин.)
  • 3.2.3. Температурная зависимость коэффициента диффузии (14мин.)
• 3.3. Атомные механизмы диффузии (69мин.)
• 3.4. Методы проведения диффузии (56мин.)
• • 3.4.1. Импульсный метод (14мин.)
  • 3.4.2. Радиационно-стимулированная диффузия (14мин.)
• 3.6. Выводы и перспективы развития (14мин.)
• Приложение к Главе 3 (14мин.)
• Тест:  ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ (22мин.)

Глава 4. ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕПРОЦЕССЫ

• 4.1. Процесс литографии (139мин.)
• • 4.1.1. Шаблоны (42мин.)
  • 4.1.2. Процесс переноса изображения (28мин.)
  • 4.1.3. Резисты (28мин.)
  • 4.1.4. Отклонения размеров элементов топологии (42мин.)
• 4.2. Оптическая литография (фотолитография) (125мин.)
• • 4.2.1. Методы оптической литографии (42мин.)
  • 4.2.2. Оптические резисты (14мин.)
  • 4.2.3. Дифракция (28мин.)
  • 4.2.4. Функция модуляции передачи (14мин.)
  • 4.2.5. Стоячие волны (28мин.)
• 4.3. Электронно-лучевая литография (180мин.)
• 4.4. Проекционная электронная литография (14мин.)
• 4.5. Рентгеновская литография (167мин.)
• Тест:  ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕПРОЦЕССЫ (22мин.)

Глава 5. СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ

• 5.1. Методы плазменного травления (125мин.)
• • 5.1.1. Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление (42мин.)
  • 5.1.2. Плазменное травление (28мин.)
  • 5.1.3. Радикальное травление (28мин.)
  • 5.1.4. Реактивное ионно-плазменное и реактивное ионно-лучевое травление (28мин.)
• 5.2. Факторы, определяющие скорость и селективность травления (167мин.)
• 5.3. Контроль профиля травления края элемента (42мин.)
• 5.4. Побочные эффекты травления (28мин.)
• 5.5. Выводы (14мин.)
• Приложение к Главе 5 (28мин.)
• Тест:  СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ (24мин.)

Глава 6. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ

• 6.1. Ионно-лучевые установки имплантации (139мин.)
• 6.2. Характеристики имплантированных слоев (153мин.)
• • 6.2.1. Пробеги ионов (28мин.)
  • 6.2.2. Образование радиационных дефектов (28мин.)
• 6.3. Отжиг легированных структур (69мин.)
• • 6.3.1. Изохорный отжиг (28мин.)
  • 6.3.2. Быстрый отжиг (28мин.)
• 6.4. Геттерирование (42мин.)
• 6.5. Эффекты ионной имплантации (28мин.)
• Приложение к Главе 6 (14мин.)
• Тест:  ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ (22мин.)

Глава 7. СБОРКА И ГЕРМЕТИЗАЦИЯ

• 7.1. Монтаж кристаллов (278мин.)
• • 7.1.1. Соединение эвтектикой (28мин.)
  • 7.1.2. Соединение полимерным клеем (28мин.)
  • 7.1.3. Соединения проволокой (69мин.)
  • 7.1.4. Автоматизированное соединение на ленточном носителе (111мин.)
  • 7.1.5. Сборка методом перевернутого кристалла (42мин.)
• 7.2. Производства корпусов (111мин.)
• • 7.2.1. Керамические корпуса (28мин.)
  • 7.2.2. Корпуса на основе тугоплавкой керамики (42мин.)
  • 7.2.3. Корпуса на основе тугоплавкой керамики с герметизацией стеклом (14мин.)
  • 7.2.4. Корпуса из пластмассы (28мин.)
• 7.3. Герметизация (28мин.)
• • 7.3.1. Очистка поверхности кристалла (14мин.)
  • 7.3.2. Герметизация крышки корпуса (28мин.)
• 7.4. Тенденции развития методов сборки и герметизации (83мин.)
• • 7.4.1. Силиконовые клеи-герметики (42мин.)
  • 7.4.2. Технологические особенности клея-герметика (28мин.)
• Тест:  СБОРКА И ГЕРМЕТИЗАЦИЯ (22мин.)

Глава 8. НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНЫМ ВЫПАРИВАНИЕМ

• 8.1. Физические характеристики процесса (83мин.)
• 8.2. Источники выпаривания (125мин.)
• 8.3. Выпаривание соединений (14мин.)
• 8.4. Толщина покрытия (42мин.)
• Приложение к Главе 8 (14мин.)
• Тест:  НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНЫМ ВЫПАРИВАНИЕМ (24мин.)

Глава 9. НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ

• 9.1. Ионно-плазменное нанесение (333мин.)
• • 9.1.1. Структура катода установки для ионно-плазменного нанесения (14мин.)
  • 9.1.2. Диодные системы нанесения при постоянном напряжении (42мин.)
  • 9.1.3. ВЧ-диодные системы нанесения (42мин.)
  • 9.1.4. Триодные системы нанесения (42мин.)
  • 9.1.5. Магнетронные системы нанесения (69мин.)
• 9.2. Нанесение ионным осаждением (56мин.)
• 9.3. Нанесение полимерных покрытий полимеризацией в плазме (69мин.)
• 9.4. Нанесение ионным перемешиванием (56мин.)
• 9.5. Лазерно-имплантационный метод нанесения (69мин.)
• 9.6. Ионно-лучевые методы нанесения (28мин.)
• Приложения к Главе 9 (14мин.)
• Тест:  НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ (28мин.)

Глава 10. НАНЕСЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ

• 10.1. Процесс осаждения оксида и нитрида кремния (97мин.)
• • 10.1.1. Химические реакции (28мин.)
  • 10.1.2. Оборудование (56мин.)
  • 10.1.3. Безопасность (14мин.)
• 10.2. Поликремний (111мин.)
• • 10.2.1. Легирование поликремния (28мин.)
  • 10.2.2. Оксидирование поликремния (14мин.)
  • 10.2.3. Свойства поликремния (14мин.)
• 10.3. Оксид кремния (167мин.)
• • 10.3.1. Методы осаждения (28мин.)
  • 10.3.2. Параметры процесса осаждения (42мин.)
  • 10.3.3. Воспроизведение рельефа подложки (42мин.)
  • 10.3.4. Свойства плёнок оксида кремния (42мин.)
• 10.4. Нитрид кремния (42мин.)
• • 10.4.1. Свойства нитрида кремния (28мин.)
• 10.5. Плазмохимическое осаждение (14мин.)
• 10.6. Другие материалы (28мин.)
• 10.7. Перспективы развития (28мин.)
• Приложения к Главе 10 (14мин.)
• Тест:  НАНЕСЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ (20мин.)

Глава 11.ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ

• 11.1. Эпитаксия из парогазовой фазы (333мин.)
• • 11.1.1. Химическая кинетика и процесс массопереноса (111мин.)
  • 11.1.2. Легирование в процессе эпитаксии (56мин.)
  • 11.1.3. Технологическое оборудование (97мин.)
  • 11.1.4. Эпитаксиальные дефекты (42мин.)
  • 11.1.5. Механизм роста эпитаксиального слоя (14мин.)
• 11.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия (111мин.)
• • 11.2.1. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии (28мин.)
• 11.3. Измерение параметров эпитаксиальных структур (56мин.)
• • 11.3.1. Контроль толщины слоя (14мин.)
  • 11.3.2. Оценка уровня легирования (28мин.)
  • Приложение к Главе 11 (14мин.)
• Тест:  ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ (22мин.)

Глава 12. МЕТАЛЛИЗАЦИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИС

• 12.1. Методы осаждения (69мин.)
• 12.2. Контроль толщины покрытия (28мин.)
• 12.3. Трудности, возникающие при металлизации (42мин.)
• 12.4. Защита от коррозии и образования контактов (28мин.)
• Приложения к Главе 12 (14мин.)
• Тест:  МЕТАЛЛИЗАЦИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИС (14мин.)

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

СОДЕРЖАНИЕ

ПРИЛОЖЕНИЯ*

• Приложение 1 (97мин.)
• Приложение 2 (139мин.)
• Приложение 3 (28мин.)
• Приложение 4 (125мин.)
• Приложение 5 (97мин.)
• Приложение 6 (42мин.)
• Приложение 7 (125мин.)

Завершение курса

• Тест:  Итоговое тестирование (40мин.)