Введение

Глава 1. Основы физики полупроводников

• 1.1. Зонная структура полупроводников (92мин.)
• 1.2. Электронно-дырочный переход (73мин.)
• 1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (18мин.)
• 1.4. Вольт-амперная характеристика реального p-n‑перехода (55мин.)
• 1.5. Контакты металла с полупроводником (37мин.)
• 1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости (37мин.)
• Тест:  Основы физики полупроводников (10мин.)

Глава 2. Диоды

• 2.1. Классификация диодов (37мин.)
• 2.2. Эквивалентная электрическая схема p-n-перехода (37мин.)
• 2.3. Выпрямительные диоды (37мин.)
• 2.4. Высокочастотные диоды (18мин.)
• 2.5. Импульсные диоды (37мин.)
• 2.6. Мезадиоды (18мин.)
• 2.7. Стабилитроны (73мин.)
• 2.8. Параметрический стабилизатор напряжения (55мин.)
• 2.9. Варикап (37мин.)
• 2.10. Диод Шоттки (18мин.)
• 2.11. Туннельный диод (37мин.)
• 2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна (146мин.)
• Тест:  Диоды (54мин.)

Глава 3. Биполярные транзисторы

• 3.1. Классификация (18мин.)
• 3.2. Общие сведения (37мин.)
• 3.3. Принцип работы транзистора (55мин.)
• 3.4. Три схемы включения транзистора (18мин.)
• 3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой (37мин.)
• 3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ (18мин.)
• 3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ (73мин.)
• 3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник (92мин.)
• 3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора (37мин.)
• 3.10. Разновидности биполярных транзисторов (128мин.)
• 3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры (18мин.)
• 3.12. Работа транзистора в ключевом режиме (92мин.)
• 3.13. Структура и принцип действия тиристоров (110мин.)
• Тест:  Биполярные транзисторы (48мин.)

Глава 4. Полевые транзисторы и ПЗС

• 4.1. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом (110мин.)
• 4.2. МДП-транзисторы (37мин.)
• 4.3. Основные параметры МДП-транзистора (18мин.)
• 4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью (146мин.)
• • Области применения и конструктивные варианты (37мин.)
• 4.5. Способы формирования видеосигнала (37мин.)
• 4.6. Приборы с зарядовой инжекцией (37мин.)
• Тест:  Полевые транзисторы и ПЗС (22мин.)

Глава 5. Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы

• 5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы (110мин.)
• • Гетероструктурные БТ (37мин.)
• 5.2. Полевые СВЧ-транзисторы (55мин.)
• 5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы (92мин.)
• • Баллистические и аналоговые транзисторы (92мин.)
• 5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники (439мин.)
• • Полевые GaAs-транзисторы с гетеропереходом (73мин.)
  • SiGe-транзисторы (37мин.)
  • Мощные GaN и SiC транзисторы (201мин.)
  • Антимониды и арсенид индия (55мин.)
  • Алмаз как материал для СВЧ-приборов (37мин.)
  • Транзистор на нанотрубках (18мин.)
  • Достижения по быстродействию и планы по «high-K» (18мин.)
• 5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах (146мин.)
• Тест:  Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы (12мин.)

Глава 6. Преобразовательные приборы

• 6.1. Полупроводниковые источники излучения (18мин.)
• 6.2. Светоизлучающие диоды (92мин.)
• 6.3. Лазеры (92мин.)
• 6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели (37мин.)
• 6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы (201мин.)
• • Фоторезистор (18мин.)
  • Фотодиоды (18мин.)
  • Лавинные и p-i-n-фотодиоды (55мин.)
  • Фототранзисторы (37мин.)
  • Оптроны (55мин.)
• 6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом (18мин.)
• 6.7. Позисторы (37мин.)
• 6.8. Варисторы (37мин.)
• 6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы (92мин.)
• 6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы (55мин.)
• Тест:  Преобразовательные приборы (10мин.)

Глава 7. Энергонезависимая полупроводниковая память

• Тест:  Энергонезависимая полупроводниковая память (10мин.)

Список литературы

Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току

• Общий подход к задачам расчета усилителей переменного тока (55мин.)
• Расчет основных параметров усилителя на биполярных транзисторах (37мин.)
• Примеры (293мин.)

Новинки по дисциплине «Электронная техника» и смежным дисциплинам

Завершение курса

• Тест:  Итоговое тестирование (50мин.)