Предисловие

Введение

Глава 1. Сигналы в электронике

• 1.1. Электроны как носители сигналов (109мин.)
• 1.2. Квазичастицы как носители сигналов (609мин.)
• • 1.2.1. Сравнительный анализ свойств частиц и квазичастиц (22мин.)
  • 1.2.2. Квазичастицы для электроники (87мин.)
  • 1.2.3. Носители в наноразмерных структурах (65мин.)
  • 1.2.4. Баллистический транспорт носителей заряда (43мин.)
  • 1.2.5. Туннелирование носителей заряда (65мин.)
  • 1.2.6. Спин и спиновые эффекты (152мин.)
  • 1.2.7. Динамические неоднородности как носители сигналов (174мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• Тест:  Сигналы в электронике (60мин.)

Глава 2. Наноструктурные материалы

• 2.1. Зонная инженерия (22мин.)
• 2.2. Атомы, ионы и молекулы (43мин.)
• 2.3. Кристаллы и кристаллиты (87мин.)
• 2.4. Кластеры (65мин.)
• 2.5. Аллотропные модификации углерода (174мин.)
• 2.6. Квантовые наноструктуры (43мин.)
• 2.7. Ионный синтез квантовых наноструктур (22мин.)
• 2.8. Полупроводниковые гетероструктуры (87мин.)
• 2.9. Сверхрешетки (43мин.)
• 2.10. Фотонные кристаллы (65мин.)
• 2.11. Полимерные материалы (130мин.)
• 2.12. ДНК как компонент наноструктур (65мин.)
• 2.13. Мультиферроики (87мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• Тест:  Наноструктурные материалы (116мин.)

Глава 3. Физико-химия наноструктурных материалов

• 3.1. Процессы на поверхности и в приповерхностных слоях (22мин.)
• 3.2. Атомная структура поверхностного слоя (65мин.)
• 3.3. Свойства поверхности (130мин.)
• 3.4. Поверхностная ионизация (22мин.)
• 3.5. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности (43мин.)
• 3.6. Межфазные характеристики (43мин.)
• 3.7. Термодинамика поверхности (174мин.)
• 3.8. Термодинамические системы (109мин.)
• 3.9. Термодинамика неравновесных процессов (109мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• Тест:  Физико-химия наноструктурных материалов (102мин.)

Глава 4. Нанотехнологии

• 4.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур (304мин.)
• • 4.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия (109мин.)
  • 4.1.2. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений (65мин.)
  • 4.1.3. Формирование структур на основе коллоидных растворов (43мин.)
  • 4.1.4. Золь-гель-технология (22мин.)
  • 4.1.5. Методы молекулярного наслаивания и атомно-слоевой эпитаксии (43мин.)
  • 4.1.6. Сверхтонкие пленки металлов и диэлектриков (22мин.)
• 4.2. Методы получения упорядоченных наноструктур (196мин.)
• • 4.2.1. Искусственное наноформообразование (87мин.)
  • 4.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей (22мин.)
  • 4.2.3. Наногофрированные структуры (43мин.)
  • 4.2.4. Самоорганизация структур (43мин.)
• 4.3. Литографические методы формирования наноструктур (370мин.)
• • 4.3.1. Критерий Рэлея (43мин.)
  • 4.3.2. Оптическая литография (43мин.)
  • 4.3.3. Рентгеновская литография (87мин.)
  • 4.3.4. Электронная литография (109мин.)
  • 4.3.5. Ионная литография (22мин.)
  • 4.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике (43мин.)
  • 4.3.7. Нанопечатная литография (22мин.)
• 4.4. Методы зондовой нанотехнологии (370мин.)
• • 4.4.1. Физические основы зондовой нанотехнологии (87мин.)
  • 4.4.2. Контактное формирование нанорельефа (22мин.)
  • 4.4.3. Бесконтактное формирование нанорельефа (22мин.)
  • 4.4.4. Локальная глубинная модификация поверхности (22мин.)
  • 4.4.5. Межэлектродный массоперенос (22мин.)
  • 4.4.6. Массоперенос (22мин.)
  • 4.4.7. Локальное анодное окисление (43мин.)
  • 4.4.8. СТМ-литография (43мин.)
  • 4.4.9. Совместное использование лазера и сканирующего туннельного микроскопа в нанолитографии (22мин.)
  • 4.4.10. Нанобиотехнологии (65мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• Тест:  Нанотехнологии (102мин.)

Глава 5. Элементы и приборы наноэлектроники

• 5.1. Нанотранзисторные структуры (435мин.)
• • 5.1.1. КНИ-транзисторы (261мин.)
  • 5.1.2. Нанотранзисторные структуры на новых материалах (87мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.2. Одноэлектронная наноэлектроника (283мин.)
• • 5.2.1. Эффект одноэлектронного туннелирования (109мин.)
  • 5.2.2. Транзисторные структуры одноэлектроники (109мин.)
  • 5.2.3. Устройства на одноэлектронных транзисторах (65мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.3. Спинтроника (326мин.)
• • 5.3.1. Свойства магнитоупорядоченных структур (109мин.)
  • 5.3.2. Приборы на магнитостатистических волнах (43мин.)
  • 5.3.3. Спиновый транзистор (65мин.)
  • 5.3.4. Цифровые приборы спинтроники (87мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.4. Квантовые компьютеры (304мин.)
• • 5.4.1. От битов к кубитам (87мин.)
  • 5.4.2. Квантовые вычисления (65мин.)
  • 5.4.3. Элементная база квантовых компьютеров (152мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.5. Молетроника (217мин.)
• • 5.5.1. Молекулярный подход в наноэлектронике (22мин.)
  • 5.5.2. Молекулярные транзисторы и элементы логики (152мин.)
  • 5.5.3. Молекулярная память (43мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.6. Политроника (239мин.)
• • 5.6.1. Полимерные материалы (43мин.)
  • 5.6.2. Органические транзисторы (43мин.)
  • 5.6.3. Органические светоизлучающие диоды (87мин.)
  • 5.6.4. Эластичная электроника (22мин.)
  • 5.6.5. Нанопроводники (43мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.7. Нанофотоника (304мин.)
• • 5.7.1. Зонные структуры фотонных кристаллов (43мин.)
  • 5.7.2. Устройства на фотонных кристалла (87мин.)
  • 5.7.3. Фотонные транзисторы (22мин.)
  • 5.7.4. Лазерные структуры с пониженной размерностью (152мин.)
• Контрольные вопросы и задания (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.8. Наноплазмони (109мин.)
• • 5.8.1. Кванты плазмы твердых т (43мин.)
  • 5.8.2. Спазер — лазер на плазмонах (22мин.)
  • 5.8.3. Однофотонный транзистор (43мин.)
  • 5.8.4. Интегральные схемы на плазмона (22мин.)
• Контрольные вопросы (22мин.)
• Литература (22мин.)
• 5.9. Мемристорная электроника (130мин.)
• • 5.9.1. Мемристор и его свойства (43мин.)
  • 5.9.2. Элементы мемристорной электроники (22мин.)
  • 5.9.3. Кроссбар-архитектура (43мин.)
  • 5.9.4. Наноэлектронные устройства памяти (22мин.)
• Контрольные вопросы (22мин.)
• Литература (22мин.)
• Тест:  Элементы и приборы наноэлектроники (206мин.)

Заключение

Рекомендуемая литература

Завершение курса

• Тест:  Итоговое тестирование (60мин.)