Вебинар:
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники
-
Скопировать в буфер библиографическое описание
Старосельский, В. И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники : учебное пособие для вузов / В. И. Старосельский. — Москва : Издательство Юрайт, 2022. — 463 с. — (Бакалавр. Академический курс). — ISBN 978-5-9916-0808-4. — Текст : электронный // Образовательная платформа Юрайт [сайт]. — URL: https://urait.ru/bcode/509181 (дата обращения: 24.03.2023).
- Добавить в избранное
Страниц
463
Обложка
Твердая
ISBN
978-5-9916-0808-4
978-5-9692-0962-6
Библиографическое описание
Старосельский, В. И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники : учебное пособие для вузов / В. И. Старосельский. — Москва : Издательство Юрайт, 2022. — 463 с. — (Бакалавр. Академический курс). — ISBN 978-5-9916-0808-4. — Текст : электронный // Образовательная платформа Юрайт [сайт]. — URL: https://urait.ru/bcode/509181 (дата обращения: 24.03.2023).
Тематика/подтематика
Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах. Для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» (210100.62 — бакалавр, 210100.68 — магистр) и по инженерным специальностям 210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 210108.65 «Микросистемная техника», 010803.65 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 210601.65 «Нанотехнологии в электронике». Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые профессиональные знания.
- Предисловие редактора Ю. А. Парменов
- Глава I. Основные сведения из физики полупроводников
-
Глава II. р-n переходы и полупроводниковые диоды
- II.1. Понятие о переходе
-
II.2. Равновесное состояние p-n перехода
- II.2.1. Энергетическая диаграмма р-п перехода
- II.2.2. Токи через р-п переход в равновесном состоянии
- II.2.3. Методика определения параметров р-п перехода
- II.2.4. Расчет параметров ступенчатого р-п перехода
- II.2.5. Переход с линейным распределением примеси
- II.2.6. Диффузионные р-п переходы
- Основные выводы
- II.3. Неравновесное состояние p-n перехода
-
II.4. Анализ идеализированного диода
- II.4.1. Модель идеализированного диода
- II.4.2. Методика анализа ВАХ идеализированного диода
- II.4.3. Распределения неосновных носителей зарядав квазинейтральных областях
- II.4.4. ВАХ идеализированного диода
- II.4.5. Тепловой ток
- II.4.6. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ диода
- II.4.7. Характеристические сопротивления диода
- II.4.8. Коэффициенты инжекции и эффективность эмиттера
- Основные выводы
-
II.5. ВАХ реального диода
- II.5.1. Особенности ВАХ реального диода
- II.5.2. Термогенерация и рекомбинация носителей заряда в р-п переходе
- II.5.3. Ток термогенерации (обратное смещение перехода)
- II.5.4. Ток рекомбинации (прямое смещение перехода)
- II.5.5. Сопротивление базы
- II.5.6. Характеристики диода при высоком уровне инжекции
- II.5.7. ВАХ реального диода
- Основные выводы
- II.6. Пробой p-n перехода
- II.7. Частотные и импульсные свойства полупроводникового диода
- Литература
-
Глава III. Транзисторы со структурой металл—диэлектрик—полупроводник
-
III.1. Эффект поля в структурах МДП
- III.1.1. Структура МДП
- III.1.2. Идеальная структура МДП в условиях термодинамического равновесия
- III.1.3. Эффект поля в идеальной структуре МДП
- III.1.4. Вольтфарадные характеристики идеальной структуры МДП
- III.1.5. Особенности эффекта поля в реальной структуре МДП
- III.1.6. Пороговое напряжение структуры МДП
- Основные выводы
- III.2. Устройство и принцип действия МДП-транзистора
- III.3. Анализ идеализированного транзистора
- III.4. Статические ВАХ МДП-транзисторов с длинным каналом
-
III.5. Эффекты короткого канала
- III.5.1. Природа эффектов короткого канала
- III.5.2. Пороговое напряжение
- III.5.3. Эффект смыкания канала
- III.5.4. Зарядка оксида
- III.5.5. Ограничение дрейфовой скорости носителей в канале
- III.5.6. Влияние ограничения дрейфовой скорости носителей в канале на основные свойства МДПТ
- III.5.7. Модуляция длины канала
- III.5.8. Пологая область ВАХ МДПТ и коэффициент усиления
- III.5.9. Емкости затвор—исток и затвор—сток
- III.5.10. Особенности ВАХ короткоканального МДПТ
- III.5.11. Подпороговый ток
- III.5.12. Критерий короткого канала
- Основные выводы
- Приложение к параграфу III.5.7. Определение зависимости эффективной длины канала от напряжения сток—
- III.6. Моделирование МДП-транзисторов
- III.7. Масштабирование МДП-транзисторов
- III.8. Структуры короткоканальных МДП-транзисторов
-
III.1. Эффект поля в структурах МДП
-
Глава IV. Биполярные транзисторы
- IV.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- IV.2. Модель идеализированного транзистора Эберса—Молла
- IV.3. Параметры идеализированного транзистора
-
IV.4. Частотные и импульсные свойства коэффициентов передачи тока
- IV.4.1. Механизм внутренней инерционности биполярного транзистора и форма представления частотных и импульсных характеристик
- IV.4.2. Частотная характеристика коэффициента переноса
- IV.4.3. Частотная характеристика эффективности эмиттера
- IV.4.4. Частотные и импульсные свойства коэффициента передачи эмиттерного тока
- IV.4.5. Частотные и импульсные свойства коэффициента усиления тока базы
- IV.4.6. Сравнительный анализ частотных и импульсных характеристик коэффициентов ? и ?
- IV.4.7. Диффузионные емкости в транзисторе
- IV.4.8. Накопление заряда в коллекторе
- Основные выводы
-
IV.5. Действие факторов, не учтенных в идеализированной модели транзистора
- IV.5.1. Факторы, не учтенные в идеализированной модели
- IV.5.2. Эффект Эрли
- IV.5.3. Сопротивления базы и коллектора
- IV.5.4. Эффект оттеснения эмиттерного тока
- IV.5.5. Влияние режима работы транзистора на коэффициенты передачи тока
- IV.5.6. Ограничение скорости носителей заряда в базе и в коллекторном переходе
- IV.5.7. Специфика пробоя в биполярных транзисторах
- IV.5.8. Диодное включение транзисторов
- Основные выводы
-
IV.6. Особеннсти дрейфовых планарных транзисторов
- IV.6.1. Примесный профиль планарного дрейфового транзистора и встроенные электрические поля
- IV.6.2. Распределение избыточных носителей заряда в базе
- IV.6.3. Время пролета неосновных носителей через базу и тепловые токи
- IV.6.4. Коэффициент передачи эмиттерного тока
- IV.6.5. Тиристорный эффект
- Основные выводы
- IV.7. Моделирование биполярных транзисторов
- IV.8. Структуры интегральных биполярных транзисторов
- Литература
-
Глава V. Сравнительный анализ принципов действия и свойств биполярных и полевых транзисторов
- V.1. Сходства и различия в устройстве и принципе действия МДП- и биполярных транзисторов
- V.2. Основные электрические свойства МДП- и биполярных транзисторов в рамках классических моделей
- V.3. Эффекты, ограничивающие характеристики реальных МДП- и биполярных транзисторов
- V.4. Важнейшие характеристики МДП- и биполярных транзисторов
- V.5. Анализ важнейших характеристик МДП- и биполярных транзисторов
- V.6. Области применения МДП- и биполярных транзисторов
- Глава VI. Контакты металл—полупроводник
- Глава VII. Полевые транзисторы с управляющим барьерным переходом
- Глава VIII. Гетеропереходные транзисторы
- Приложения
- Литература к приложениям 3, 4
Более 10 000 учебников
Более 2000 курсов
Тесты и задания платформы
